Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия

Экспериментально обнаружено и исследовано расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) высокой плотности в пленках GaAs. Выяснено, что расслоение ЭДП происходит при электрических полях, на несколько порядков меньших порогового поля ударной ионизации GaAs. Установлено, что ЭДП расслаивается лишь в том случае, когда ток инжекции (т. е. концентрация ЭДП в пленке GaAs) и электрическое поле превосходят определенные критические значения. Найдена зависимость критического значения для расслоения ЭДП инжекционного тока от падения напряжения на структуре. Изучена эволюция светло-голубых светящихся точек, образующихся в пленке GaAs при расслоении горячей ЭДП, от тока инжекции и падения напряжения на структуре.