|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9, страницы 1560–1563
(Mi phts3516)
|
|
|
|
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах
в теллуриде кадмия
В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков
Аннотация:
Обнаружена тонкая структура фотолюминесцентного
(ФЛ) излучения теллурида кадмия в области $820{-}840$ нм,
возникающего вследствие рекомбинации носителей заряда на комплексных дефектах.
Рассмотрена зависимость спектра (ФЛ) от плотности дефектов,
температуры отжига кристалла и температуры, при которой исследуется ФЛ.
Предложен возможный механизм образования дефектов.
Образец цитирования:
В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков, “Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах
в теллуриде кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1560–1563
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3516 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i9/p1560
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 31 |
|