Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9, страницы 1560–1563 (Mi phts3516)  
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия

В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков
PDF полного текста (535 kB)
Аннотация: Обнаружена тонкая структура фотолюминесцентного (ФЛ) излучения теллурида кадмия в области $820{-}840$ нм, возникающего вследствие рекомбинации носителей заряда на комплексных дефектах. Рассмотрена зависимость спектра (ФЛ) от плотности дефектов, температуры отжига кристалла и температуры, при которой исследуется ФЛ. Предложен возможный механизм образования дефектов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков, “Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1560–1563
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sal89}
\by В.~Н.~Бабенцов, В.~М.~Булах, С.~И.~Горбань, Л.~В.~Рашковецкий, Е.~А.~Сальков
\paper Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах
в~теллуриде кадмия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 9
\pages 1560--1563
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3516}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3516
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i9/p1560
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025