Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков

Установлено, что при асимметричном расположении уровней доноров и акцепторов в запрещенной зоне компенсированных полупроводников и диэлектриков парное взаимодействие заряженных дефектов приводит к образованию зон квазинепрерывно и экспоненциально распределенных ловушек. На примере тиоиндата цинка показано, что в многокатионных кристаллических соединениях такой случай может реализоваться при антиструктурном разупорядочении атомов в катионной подрешетке.