Многофотонное поглощение компоненты бихроматической волны в полупроводнике в скрещенных электрическом и магнитном полях

Аналитически исследуется влияние внешних однородных электрического E и магнитного H полей на межзонное многофотонное поглощение в полупроводнике сильной световой волны с частотой $\omega_{1}$ и амплитудой электрического поля $F_{1}$ в присутствии другой сильной световой волны с частотой $\omega_{0}$ и полем $F_{0}$. Обе световые волны считаются поляризованными параллельно магнитному полю и перпендикулярно электрическому. Получены явные выражения для мощности поглощаемого излучения $P(\omega_{1})$. Спектр поглощения зависит от соотношения между расстройкой частот ${\Omega=\omega_{1}-\omega_{0}}$ и характерной частотой ${\Omega_{R}=e^{2}F_{0}F_{1}(2\mu\hbar\omega_{0}\omega_{1})^{-1}}$ ($\mu$ — приведенная эффективная масса электронов и дырок). Электрическое поле E вызывает возгорание новых серий спектральных линий и сдвиг спектра в длинноволновую сторону. Поле ${E\perpH}$ придает изменению амплитуды высокочастотных осцилляции немонотонный характер. Путем незначительной вариации величины $E$ можно достичь резкого изменения в поглощении.