Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 12, страницы 2118–2121 (Mi phts3640)  

Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния под влиянием всестороннего сжатия

С. З. Зайнабидинов, А. Р. Тураев, В. И. Фистуль, М. Д. Ходжаев
Аннотация: Проанализирован распад преципитатов никеля в кремнии под влиянием всестороннего гидростатического давления. С помощью теории Мотта и Набарро с использованием упругих констант и постоянных решеток Si, SiO$_{2}$, Ni и различных модификаций силицидов никеля рассчитаны величины создаваемых ими внутренних упругих напряжений.
Показано, что преципитатами в Si$\langle\text{Ni}\rangle$ являются силицидные выделения никеля, которые подтверждены экспериментально с помощью микроскопии и рентгенофазного анализа. На основе анализа полученных результатов предложена модель преципитатов Ni в Si.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. З. Зайнабидинов, А. Р. Тураев, В. И. Фистуль, М. Д. Ходжаев, “Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния под влиянием всестороннего сжатия”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2118–2121
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fis89}
\by С.~З.~Зайнабидинов, А.~Р.~Тураев, В.~И.~Фистуль, М.~Д.~Ходжаев
\paper Распад преципитатов никеля в~монокристаллах кремния
под влиянием всестороннего сжатия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 12
\pages 2118--2121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3640}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3640
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i12/p2118
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025