Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2, страницы 264–270 (Mi phts3712)  

Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского

А. Н. Бузынин, С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, А. Е. Лукьянов, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. Г. Плоппа, В. М. Татаринцев, А. М. Эйдензон
Аннотация: Исследовались кристаллы бездислокационного кремния, выращенного методом Чохральского и легированные бором. Крупномасштабные примесные скопления, размеры которых колеблются в широких пределах и зависят от скорости роста кристаллов, зарегистрированы методами наведенного тока и рассеяния света. Обнаруженные дефекты не вызывают сильных искажений кристаллической решетки и не являются крупномасштабными структурными дефектами.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Бузынин, С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, А. Е. Лукьянов, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. Г. Плоппа, В. М. Татаринцев, А. М. Эйдензон, “Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 264–270
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalMurOsi90}
\by А.~Н.~Бузынин, С.~Е.~Заболотский, В.~П.~Калинушкин, А.~Е.~Лукьянов, Т.~М.~Мурина, В.~В.~Осико, М.~Г.~Плоппа, В.~М.~Татаринцев, А.~М.~Эйдензон
\paper Крупномасштабные электрически активные примесные скопления
в~кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 2
\pages 264--270
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3712}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3712
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i2/p264
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025