|
|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 724–730
(Mi phts3811)
|
|
|
|
Микроплазмы в идеально однородных $p{-}i{-}n$-структурах
В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов
Аннотация:
Установлено, что микроплазмы — локальные
(размером порядка 1 мкм) области сильной ударной
ионизации могут возникать в идеально однородных по
площади $p{-}n$-переходах. Микроплазма является
ярким примером узкого пичкового автосолитона гигантской
амплитуды, который можно возбудить при относительно
малом коэффициенте размножения носителей ($M \sim 10^{2}\div 10^{3}$)
с помощью кратковременного освещения локальной области в плоскости
$p{-}n$-перехода импульсом света, поглощение которого приводит
к фотогенерации электронно-дырочных пар в области пространственного
заряда структуры. С помощью численных экспериментов установлено,
что после выключения импульса света в $p{-}i{-}n$-структуре
самопроизвольно формируется устойчивая микроплазма,
коэффициент умножения носителей $M$ в которой в
$10^{5}{-}10^{9}$ раз может превышать значение $M$
при однородном пробое (вне микроплазмы). Численно
изучены кинетика возникновения микроплазм, их форма,
а также зависимости размера и амплитуды тока в
микроплазме от падения напряжения на структуре.
Образец цитирования:
В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов, “Микроплазмы в идеально однородных $p{-}i{-}n$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 724–730
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3811 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i4/p724
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 95 | | PDF полного текста: | 55 |
|