Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1038–1041 (Mi phts3876)  

Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия

В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров
Аннотация: Рассмотрена вероятность вхождения примесей IV группы (C, Si, Ge, Sn) в различные кристаллохимические позиции решетки арсенида галлия. Модель основана на сравнении величин энтальпий растворения примесей в позициях замещения и внедрения. Энтальпия растворения рассчитывалась с использованием представлений о химической связи примесных атомов с атомами кристаллической решетки. Величина энергии химической связи определялась с помощью квантово-химического метода Малликена. Показано, что примеси IV группы занимают позиции замещения, причем для углерода характерно замещение атомов мышьяка, а для остальных — атомов галлия.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1038–1041
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fis90}
\by В.~И.~Фистуль, В.~А.~Шмугуров
\paper Преимущественное положение примесей IV~группы в~арсениде галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 6
\pages 1038--1041
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3876}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3876
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i6/p1038
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025