|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1038–1041
(Mi phts3876)
|
|
|
|
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров
Аннотация:
Рассмотрена вероятность вхождения примесей IV группы (C, Si, Ge, Sn)
в различные кристаллохимические позиции решетки арсенида галлия. Модель
основана на сравнении величин энтальпий растворения примесей в позициях
замещения и внедрения. Энтальпия растворения рассчитывалась с использованием
представлений о химической связи примесных атомов с атомами кристаллической
решетки. Величина энергии химической связи определялась с помощью
квантово-химического метода Малликена. Показано, что примеси IV группы
занимают позиции замещения, причем для углерода характерно замещение атомов
мышьяка, а для остальных — атомов галлия.
Образец цитирования:
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1038–1041
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3876 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i6/p1038
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 66 | PDF полного текста: | 42 |
|