Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1118–1120 (Mi phts3894)  
Краткие сообщения

Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным облучением

П. М. Клингер, В. И. Фистуль
PDF полного текста (417 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. М. Клингер, В. И. Фистуль, “Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным облучением”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1118–1120
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fis90}
\by П.~М.~Клингер, В.~И.~Фистуль
\paper Параметры компенсирующих центров в~$n$-Si сильно компенсированным
облучением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 6
\pages 1118--1120
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3894}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3894
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i6/p1118
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025