Двухузельная модель дефектов типа $A$-центров

Представлено теоретическое описание электронных свойств дефектов типа $A$-центров. Такие дефекты представляют собой вакансию в Si, две связи которой замкнуты друг на друга, а две другие — примесным атомом (Cu, Ni, Ag, Pd, Au и Pt). Анализ основан на исследовании электронных состояний связи между атомами Si, ослабленной по сравнению с нормальными связями в кристаллическом Si. Именно эти состояния ответственны за электронные свойства дефектов типа $A$-центров в $n$-Si. Рассмотрение проведено в рамках двухузельного гамильтониана Андерсона с учетом деформации структуры дефекта. С использованием экспериментальных данных определены параметры, характеризующие $A$-центр [величина хаббардовского взаимодействия, интеграл переноса и энергия (на 1 электрон) деформации структуры дефекта].