Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами

В $p^{+}{-}n$-структурах, изготовленных на основе $6H$-SiC по различным технологиям, проведено исследование спектров электролюминесценции (ЭЛ), а также определены параметры и концентрации глубоких уровней. Обнаружено, что в $p^{+}{-}n$-структурах, имеющих желтую ЭЛ ($h\nu_{\max}\sim 2.14$ эВ), всегда присутствуют $D$-центры ($E_{v}+0.58$ эВ).
Показано, что наблюдавшаяся ЭЛ может быть объяснена излучательной рекомбинацией дырки, захваченной на $D$-центр, и электрона в зоне проводимости. Принятая модель рекомбинации, если исходить из параметров $D$-центра, хорошо объясняет зависимость ЭЛ от плотности прямого тока и температуры, а также температурную зависимость постоянной времени послесвечения.