Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 8, страницы 1391–1396 (Mi phts3956)  

Особенности энергетического спектра Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$Tl, Na$\rangle$

С. А. Немов, Н. Г. Богатыренко, В. И. Прошин
Аннотация: Исследованы особенности энергетического спектра дырок в твердом растворе Pb$_{0.95}$Sn$_{0.05}$Te, легированном 2 ат % таллия, с помощью измерений основных кинетических коэффициентов: удельной электропроводности, Холла, термоэдс и поперечного эффекта Нернста$-$Эттингсгаузена в диапазоне температур 77$-$450 К. Изменение положения уровня Ферми в валентной зоне осуществлялось путем дополнительного легирования электроактивной примесью — Na (акцептор) или избытком металла (донор).
Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о наличии в запрещенной зоне акцепторного уровня с энергией $\varepsilon_{A} \approx-0.04$ эВ, слабо зависящей от температуры. Уровни $\varepsilon_{A}$, по-видимому, связаны с комплексами собственных дефектов либо с комплексами типа собственный дефект$-$примесь.
На фоне спектра легких дырок обнаружен резонансный уровень $\varepsilon_{d}$, по-видимому, связанный с собственными дефектами донорного типа. При низких температурах $\varepsilon_{d} = 0.14$ эВ, уширение $\Gamma \sim 0.01$ эВ. С ростом содержания Sn в твердых растворах Pb$_{1-x}$Se$_{x}$Te уровень $\varepsilon_{d}$ смещается в глубь валентной зоны со скоростью $d\varepsilon_{d}/dx\sim 0.8$ эВ.
Ниже края зоны тяжелых дырок расположена широкая полоса резонансных состояний Tl (при 77 К $\varepsilon_{i} = 0.22$ эВ, $\Gamma$ порядка нескольких сотых долей эВ). С ростом температуры полоса Tl \glqqвсплывает» со скоростью $d\varepsilon_{i}/dT$, близкой к скорости изменения зазора между неэквивалентными экстремумами валентной зоны $d\Delta \varepsilon_{v}/dT$. При увеличении содержания Sn в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te полоса Tl \glqqопускается» в глубь валентной зоны, одновременно происходит ее уширение. Это приводит к уменьшению плотности примесных состояний Tl, сглаживанию особенностей в кинетических коэффициентах и исчезновению сверхпроводимости при $T>0.4$ K.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Н. Г. Богатыренко, В. И. Прошин, “Особенности энергетического спектра Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$Tl, Na$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1391–1396
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Nem90}
\by С.~А.~Немов, Н.~Г.~Богатыренко, В.~И.~Прошин
\paper Особенности энергетического спектра
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$Tl,\,Na$\rangle$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 8
\pages 1391--1396
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3956}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3956
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i8/p1391
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026