Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs

Созданы и исследованы узкозонные \glqqразъединенные» гетеропереходы II типа на основе твердых растворов GaSb$-$Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$ ($x=0.11$, $y=0.21$, $E_{g}=0.26$ эВ при 300 K), изопериодных с подложкой GaSb. Изучены электрические и фотоэлектрические свойства четырех типов гетероструктур: $N{-}n$, $P{-}p$, $p{-}n$ и $P{-}p$. Обнаружено омическое поведение $P{-}n$-структуры GaSb$-$GaInAsSb в интервале $T=300{-}4.2$ K и изучены выпрямляющие характеристики $N{-}n$-, $N{-}p$- и $P{-}p$ -структур. Обсуждаются зонные энергетические диаграммы таких структур. В квазиклассическом приближении оценены параметры квантовых ям и двойного слоя, образующегося в окрестностях $N{-}n^{+}$-контакта на гетерогранице II типа. Рассмотрен механизм протекания туннельного тока в такой структуре и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Получено согласие с экспериментальными данными.