Теория локальной туннельной генерации носителей в $p{-}n$-переходах на основе узкозонных полупроводников

Найдена зависимость скорости поверхностной туннельной генерации носителей тока в узкозонных полупроводниках от плотности поверхностного заряда, напряжения и концентрации легирующей примеси. Рассчитаны вольт-амперные характеристики локального поверхностного туннельного тока в $p{-}n$-переходах. Установлено, что при достаточно большом обратном смещении $p{-}n$-перехода поверхностный туннельный ток не зависит от напряжения смещения. Значения напряжения и тока насыщения возрастают с увеличением плотности поверхностного заряда. Развитая теория объясняет результаты экспериментальных исследований поверхностной туннельной генерации носителей и взрывных шумов $p{-}n$-переходов.