Нелинейное магнитопоглощение в полупроводнике компоненты сильной бигармонической световой волны

Аналитически исследовано влияние внешнего магнитного поля $H$ на межзонное многофотонное поглощение в полупроводнике сильной световой волны с частотой $\omega_{1}$ и амплитудой электрического поля $F1$ в присутствии другой сильной световой волны с частотой $\omega_{0}$ и полем $F_{0}$. Обе световые волны считаются поляризованными перпендикулярно магнитному полю ($F_{0}\parallel F_{1}\perpH$). Получены явные выражения для мощности поглощаемого излучения $P(\Omega)$ при условии,что расстройка частот волн ${\Omega =\omega_{1}-\omega_{0}}$ мала по сравнению с некоторой характерной частотой системы ${\Omega_{R}=e^{2}F_{0}F_{1}/(2\mu\hbar\omega_{0}\omega_{1})\ll \omega_{0,1}}$ ($\mu$ — приведенная эффективная масса электронов и дырок).