Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1, страницы 124–127 (Mi phts4160)  

Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si$-$Al

В. И. Фистуль, А. М. Павлов, Э. Н. Леваднюк, В. И. Михайлов
Аннотация: Приводятся спектры комбинационного рассеяния поверхности кремния, легированного примесью алюминия. Проведено сравнение спектров КР лазерно-имплантированного кремния со спектрами КР диффузионно-легированного кремния. Показано, что спектры КР лазерно-имплантированного кремния уширены и сдвинуты на величину $\sim 1$ см$^{-1}$ в сравнении со спектрами КР кремния после диффузионного легирования, при этом концентрация алюминия при лазерной имплантации на порядок превышает концентрацию алюминия, полученную при термическом отжиге. При плотностях мощности лазерного излучения выше пороговой спектр КР сдвигается на 22 см$^{-1}$ и значительно уширяется, поверхность кремния толщиной $\sim 1$ мкм становится аморфной. Концентрация алюминия в аморфной пленке более чем на порядок превышает максимальную предельную растворимость в монокристаллическом кремнии.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Фистуль, А. М. Павлов, Э. Н. Леваднюк, В. И. Михайлов, “Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si$-$Al”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 124–127
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fis91}
\by В.~И.~Фистуль, А.~М.~Павлов, Э.~Н.~Леваднюк, В.~И.~Михайлов
\paper Состояние лазерно-имплантированного кремния на~границе~Si$-$Al
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 1
\pages 124--127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4160}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4160
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i1/p124
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025