Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 6, страницы 976–978 (Mi phts4330)  

К вопросу о величине напряжения пробоя $p{-}n$-переходов в кремнии

Н. М. Масленников
Аннотация: Анализируются опубликованные данные о величине коэффициентов ионизации в кремнии. Выделена основная группа работ, в которой результаты измерений коэффициентов ионизации практически совпадают. Им соответствуют максимально возможные значения напряжений лавинного пробоя $p{-}n$-переходов.
В малочисленной группе работ воспроизводимость и стабильность результатов хуже, завышенным значениям коэффициентов ионизации соответствуют меньшие значения напряжений пробоя, отмечается некоторое несоответствие расчетов с результатами измерений.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. М. Масленников, “К вопросу о величине напряжения пробоя $p{-}n$-переходов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 976–978
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Н.~М.~Масленников
\paper К~вопросу о~величине напряжения пробоя $p{-}n$-переходов в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 6
\pages 976--978
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4330}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4330
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i6/p976
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:116
    PDF полного текста:99
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026