Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe

Проведены исследования экситонных спектров излучения и поглощения при 1.8 K слоистых полупроводников InSe и GaSe, легированных различными родами примесей (Sn, Dy, Но). Установлено, что изменение интенсивности излучения свободных и связанных экситонов обусловлено экранированием кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой. Обнаруженный рост интенсивности излучения свободных экситонов в кристаллах InSe, активированных ионами гольмия, связан с «залечиванием» вакансий металла и халькогенида, а также с усилением межслоевого взаимодействия за счет обменного взаимодействия локальных образований — ионов гольмия.