Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии

Исследованы процессы дефектообразования в $n$-Si с изовалентной примесью германия. Показано, что при этом образуются акцепторные комплексы германий–вакансия ([Ge$V$]), находящиеся в одном зарядовом состоянии. Принадлежащие этим комплексам энергетические уровни расположены в полосе $\sim E_{c} {-}(0.05 \div 0.08)$ эВ. Комплексы [Ge$V$] отжигаются в температурном диапазоне $220{-}300$ K, причем температура отжига уменьшается с ростом концентрации германия. Положение энергетических уровней и особенности кинетики отжига указанных комплексов обусловлены наличием в кремнии примесных скоплений атомов германия и неоднородностью упругих напряжений, вызванной различием в размерах этих скоплений. Проведена оценка среднего гидростатического давления, обусловленного примесными скоплениями атомов германия в кремнии. Соответствующие смещения энергетических уровней [Ge$V$] могут составлять по порядку величины ${\approx 10}$ мэВ, что согласуется с экспериментальными данными настоящей работы.