Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе

Проведен сравнительный анализ дефектности эпитаксиальных слоев GaAs/Si, выращенных двухстадийным и прямым методами, исследованы кривые дифракционного отражения рентгеновских лучей и спектры фотолюминесценции гетероструктур GaAs/Si и тех же слоев GaAs с удаленной подложкой. Приведены результаты микроструктурного исследования GaAs-слоев методом просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что кристаллическое совершенство слоев, полученных двухстадийным методом на точно ориентированных подложках, выше, чем у слоев, выращенных на разориентированных подложках Si; формирование промежуточного слоя GaAs путем трехкратного повторения циклов осаждения и рекристаллизации $a$-GaAs существенно улучшает кристаллическое совершенство основного слоя GaAs.