Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 8, страницы 1355–1360 (Mi phts4398)  
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей

В. С. Абрамов, И. П. Акимченко, В. А. Дравин, Н. Н. Дымова, В. В. Краснопевцев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
PDF полного текста (714 kB)
Аннотация: Исследованы свойства слоев, полученных имплантацией ионов Si, P, Ar, Se, Ga, Kr и их комбинациями Si + P, Si + Ar, Se + Ga, Se + Kr в подложки полуизолирующего GaAs : Cr. Показано, что совместная имплантация изовалентной (P, Ga) и донорной (Si, Se) примесей позволяет повысить концентрацию и подвижность электронов в слое. Обсуждаются вероятные причины этого явления.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. С. Абрамов, И. П. Акимченко, В. А. Дравин, Н. Н. Дымова, В. В. Краснопевцев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1355–1360
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkiChaShm91}
\by В.~С.~Абрамов, И.~П.~Акимченко, В.~А.~Дравин, Н.~Н.~Дымова, В.~В.~Краснопевцев, В.~В.~Чалдышев, Ю.~В.~Шмарцев
\paper Совместная имплантация в~полуизолирующий арсенид галлия электрически
активной и изовалентной примесей
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 8
\pages 1355--1360
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4398}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4398
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i8/p1355
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:67
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025