Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS

Показано, что структура, ответственная за аномальную температурную зависимость проводимости на грани (0001) кристаллов CdS, отсутствует на свежесколотой поверхности и образуется в процессе выдерживания сколотого кристалла как на воздухе, так и в атмосфере инертного газа. Процесс образования структуры является термоактивируемым. Образование структуры начинается, по-видимому, с появления отдельных островков, которые постепенно разрастаются вширь и вглубь и затем перекрываются, образуя сплошной слой.