Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9, страницы 1634–1638 (Mi phts4441)  

Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей вакансиями в Pb$_{0.093}$Sn$_{0.07}$Se

С. А. Немов, М. К. Житинская, В. И. Прошин
Аннотация: Исследовано явление самокомпенсации в узкозонном твердом растворе Pb$_{0.93}$Sn$_{0.07}$Se. Сделанные теоретические оценки показали, что, несмотря на малость ширины запрещенной зоны твердого раствора (${\sim0.1}$ эВ при 77 K), возможно наблюдение этого явления при легировании донорной примесью, причем должны наблюдаться сильная зависимость концентрации носителей тока от величины избытка селена в образцах с фиксированным содержанием примеси, смена типа проводимости («перекомпенсация») при больших избытках селена с типичными концентрациями дырок ${p\sim1\cdot10^{19}}$ см$^{-3}$, отсутствие точки полной компенсации на зависимости разности концентраций электронов и дырок от содержания примеси в образцах, находящихся вблизи границы области гомогенности.
Предсказания теории проверялись экспериментально в твердом растворе, легированном донорной примесью индия и избытком селена. Содержание индия ($N_{\text{In}}$) варьировалось в пределах 0.5$-$3 ат%, избытка селена $N_{\text{Se}}$ — от 0 до $2N_{\text{In}}$. Концентрация носителей тока определялась из данных по эффекту Холла при комнатной температуре.
Полученные экспериментальные данные находятся в качественном согласии с теоретическими оценками.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, М. К. Житинская, В. И. Прошин, “Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей вакансиями в Pb$_{0.093}$Sn$_{0.07}$Se”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1634–1638
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Nem91}
\by С.~А.~Немов, М.~К.~Житинская, В.~И.~Прошин
\paper Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей
вакансиями в~Pb$_{0.093}$Sn$_{0.07}$Se
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 9
\pages 1634--1638
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4441}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4441
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i9/p1634
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:135
    PDF полного текста:44
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026