Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{y}$P$_{x}$, полученных методом жидкостной эпитаксии в интервале составов ${0.03\leqslant x\leqslant0.26}$. Из спектральных характеристик фотопроводимости показано, что ширина запрещенной зоны $E_{g}$ изменяется от 0.41 до 0.52\.эВ при ${T=77}$ К с ростом $x$ от 0.03 до 0.26. Из температурной зависимости коэффициента Холла в нелегированных слоях выявлены два донорных уровня с энергиями активации ${E_{D_{1}}\simeq0.002}$ эВ и ${E_{D_{2}}\simeq0.03}$ эВ.
Показано, что легирование теллуром и оловом позволяет получить материал в широком интервале концентраций от $10^{16}$ до $10^{19}$ см$^{-3}$. Найдены концентрации атомов Те и Sn в твердой и жидкой фазах и определены их коэффициенты сегрегации: ${C_{\text{Te}}=0.6{-}0.96}$, ${C_{\text{Sn}}\simeq0.01}$.