Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9, страницы 1667–1670 (Mi phts4451)  
Краткие сообщения

Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия

В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий
PDF полного текста (562 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, “Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1667–1670
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliPol91}
\by В.~А.~Гергель, А.~И.~Лукьянченко, А.~Н.~Соляков, Э.~А.~Ильичев, Э.~А.~Полторацкий
\paper Температурная зависимость эффекта управления транзистором через
полуизолирующую подложку в~интегральных схемах на~арсениде галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 9
\pages 1667--1670
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4451}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4451
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i9/p1667
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:127
    PDF полного текста:80
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026