Механизм преобразования частоты в $n$-InSb-смесителе

Проведено комплексное исследование $n$-InSb смесителя на ${\lambda=2.6}$ мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при ${E=0{-}2}$ В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне ${T=1.6{-}20}$ K, высокочастотной проводимости при ${f=0.5{-}10}$ МГц и магнитосопротивления при ${H=0{-}5}$ кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном $n$-InSb (${K\ge 0.8}$), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам $n$-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.