Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$

Рассматриваются экспериментальные данные о резонансном рассеянии электронов и дырок на примесных атомах таллия, индия и других элементов, а также на собственных дефектах в полупроводниковых соединениях типа A${^\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$. Изложению результатов исследований резонансного рассеяния предшествует краткое описание имеющейся в настоящее время информации о резонансных состояниях в рассматриваемых полупроводниках. Обсуждается влияние резонансного рассеяния на подвижность, термоэдс, эффект Нернста$-$Эттингсгаузена. Отмечена корреляция между проявлением резонансного рассеяния в кинетических явлениях и сверхпроводимостью в легированных полупроводниках типа A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$. Описаны результаты расчетов, показывающих возможность использования резонансного рассеяния для повышения термоэлектрической эффектавности полупроводников.