|
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 3, страницы 574–577
(Mi phts4635)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78
и 300 K
В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев
Образец цитирования:
В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78
и 300 K”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 574–577
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4635 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i3/p574
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 108 | PDF полного текста: | 44 |
|