Примесные состояния In в GeTe

Изучены электрофизические свойства образцов Ge$_{1-x}$In$_{x}$Te$_{1+y}$ с содержанием примеси индия ${0.02\leqslant x\leqslant0.10}$ и избытком теллура ${0\leqslant y\leqslant0.05}$. Исследовано нетривиальное легирующее действие примеси индия в теллуриде германия. Обнаружено сильное влияние степени легирования In на вид температурной зависимости электропроводности. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует об образовании в валентной зоне GeTe$\langle\text{In}\rangle$ квазилокального резонансного уровня In в области энергий Ферми, соответствующих концентрациям дырок ${(3\div4)\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$.