Электрические и фотоэлектрические свойства лазерно-имплантированных структур

Исследованы вольтамперные и вольтъемкостные характеристики лазерно-имплантированных структур, полученных при различных значениях падающей мощности лазерного излучения. Установлено, что каждому значению мощности соответствует определенное число импульсов ОКГ, формирующее наилучшие характеристики структуры. Показано, что для достижения лучших ВАХ приконтактная область структуры не должна доводиться до плавления. Такие структуры обладают и наилучшими фотоэлектрическими параметрами — спектральной и люксамперной характеристиками.