Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5, страницы 455–459
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50837.9581 (Mi phts5041) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe

А. А. Дубиновab, В. В. Румянцевba, М. А. Фадеевa, В. В. Уточкинa, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (120 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50837.9581
Аннотация: Проведена оптимизация параметров диэлектрического волновода для лазерных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgCdTe, рассчитанных на диапазон длин волн 25–41 мкм, с точки зрения минимизации внутренних потерь. Показано, что для излучения в диапазоне длин волн 25–33.5 мкм оптимальный вариант волновода реализуется при росте лазерной HgCdTe-структуры на подложке CdTe или на подложке GaAs с толстым (15 мкм и более) буферным слоем CdTe. Для более длинноволнового излучения (диапазон длин волн 33.5–41 мкм) оптимальным решением является стравливание подложки и буферного слоя CdTe с последующей металлизацией поверхности структуры.
Ключевые слова: лазерная структура, волновод, дальний инфракрасный диапазон длин волн, HgCdTe, квантовая яма.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-52-50004 ЯФ_а
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-1430.2020.2
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 20-52-50004 ЯФ_а) в части расчета внутренних (фононных) потерь в рассматриваемых диэлектрических волноводах и при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (проект МК-1430.2020.2) в части расчета достижимых величин усиления в КЯ HgTe/CdHgTe.
Поступила в редакцию: 22.12.2020
Исправленный вариант: 30.12.2020
Принята в печать: 30.12.2020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 455–459
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DubRumFad21}
\by А.~А.~Дубинов, В.~В.~Румянцев, М.~А.~Фадеев, В.~В.~Уточкин, С.~В.~Морозов
\paper Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 455--459
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5041}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50837.9581}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474557}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5041
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p455
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:119
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025