Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5, страницы 460–465
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50838.9601 (Mi phts5042) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (184 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50838.9601
Аннотация: Представлена оценка пороговых условий и эффективности работы полупроводникового лазерного излучателя с большим прямоугольным резонатором (1 $\times$ 1 мм) на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs/InGaAs для мощных полосковых лазеров, работающего на высокодобротных замкнутых модовых структурах. Предложены два варианта конструкции излучателей с различными характеристиками областей распространения лазерного излучения и показана возможность достижения дифференциальной эффективности, характерной для мощных полосковых лазеров, $>$ 70%.
Ключевые слова: замкнутая мода, лазерная гетероструктура, AlGaAs/GaAs/InGaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00835А
Министерство образования и науки Российской Федерации
В части экспериментальных исследований работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 18-02-00835А). В части разработки технологии постростовых операций экспериментальных образцов исследование выполнено за счет Государственного задания ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Поступила в редакцию: 13.01.2021
Исправленный вариант: 18.01.2021
Принята в печать: 18.01.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 5, Pages 518–523
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621050134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 460–465; Semiconductors, 55:5 (2021), 518–523
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodRomSha21}
\by А.~А.~Подоскин, Д.~Н.~Романович, И.~С.~Шашкин, П.~С.~Гаврина, З.~Н.~Соколова, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин
\paper Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 460--465
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5042}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50838.9601}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474558}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 518--523
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621050134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5042
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p460
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:140
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025