Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5, страницы 466–472
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50839.9611 (Mi phts5043) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

А. А. Подоскинa, П. С. Гавринаa, В. С. Головинa, С. О. Слипченкоa, Д. Н. Романовичa, В. А. Капитоновa, И. В. Мирошниковa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
PDF полного текста (608 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50839.9611
Аннотация: Работа посвящена исследованию пространственной динамики процесса включения лазера-тиристора на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонкой $p$-базой. Предложенная гетероструктура имела модифицированную базу с подлегированным слоем рядом с $n$-эмиттером, позволяющим повысить рабочие напряжения для работы в режиме генерации наносекундных длительностей. В лазер-тиристорных импульсных источниках на основе рассмотренной гетероструктуры показана значительная локализация областей протекания тока, возникающих при переключении прибора из закрытого состояния в открытое. С помощью визуализации свечения областей локализации тока проведена оценка динамики распространения включенного состояния. Также оценены предельные размеры анодного контакта, необходимые для создания импульсного токового ключа и лазерного излучателя наносекундного диапазона на его основе.
Ключевые слова: лазер-тиристор, токовый шнур, локализация тока, полупроводниковые лазеры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
МК-3208.2019.8
В части разработки технологии постростовых операций экспериментальных образцов исследование выполнено за счет Государственного задания ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
В части экспериментальных исследований работа выполнена при финансовой поддержке Совета по грантам Президента Российской Федерации (грант для молодых кандидатов наук МК-3208.2019.8).
Поступила в редакцию: 20.01.2021
Исправленный вариант: 25.01.2021
Принята в печать: 25.01.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 466–472
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodGavGol21}
\by А.~А.~Подоскин, П.~С.~Гаврина, В.~С.~Головин, С.~О.~Слипченко, Д.~Н.~Романович, В.~А.~Капитонов, И.~В.~Мирошников, Н.~А.~Пихтин, Т.~А.~Багаев, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, В.~А.~Симаков
\paper Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 466--472
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5043}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50839.9611}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474559}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5043
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p466
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:160
    PDF полного текста:88
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025