Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1163–1168
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49962.44 (Mi phts5155) 		 
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

Л. А. Кушковab, В. В. Уточкинab, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, К. Е. Кудрявцевa, В. И. Гавриленкоa, Н. С. Куликовab, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевab, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, А. А. Разоваab, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (210 kB) Английская версия
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49962.44
Аннотация: В гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe в области длин волн 3–4 мкм выполнены исследования стимулированного излучения на межзонных переходах в зависимости от длины волны накачки. Минимальное значение пороговой плотности мощности и максимальная температура, при которых удается получить стимулированное излучение, соответствуют энергиям кванта накачки вблизи ширины запрещенной зоны барьеров. В структуре с толщиной покровного слоя 150 нм при непрерывной накачке и температурах выше 200 K было обнаружено структурное уширение спектра излучения, связываемое с проявлением эффекта Штарка, возникающего из-за влияния электрического поля области пространственного заряда поверхностного барьера.
Ключевые слова: кадмий–ртуть–теллур, стимулированное излучение, окно прозрачности атмосферы, эффект Штарка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00827
Исследования спектров стимулированного излучения при различной длине волны накачки были выполнены при поддержке Российского научного фонда (проект № 17-12-01360). Исследования спектров фотолюминесценции и эффекта Штарка были выполнены при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-02-00827).
Поступила в редакцию: 10.06.2020
Исправленный вариант: 17.06.2020
Принята в печать: 17.06.2020
Английская версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1365–1370
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262010019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1163–1168; Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KusUtoAle20}
\by Л.~А.~Кушков, В.~В.~Уточкин, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, К.~Е.~Кудрявцев, В.~И.~Гавриленко, Н.~С.~Куликов, М.~А.~Фадеев, В.~В.~Румянцев, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, А.~А.~Разова, С.~В.~Морозов
\paper Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3--5 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1163--1168
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5155}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49962.44}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041233}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1365--1370
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262010019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5155
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1163
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:229
    PDF полного текста:140
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026