Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1263–1267
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46580.02 (Mi phts5677) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

В. В. Румянцевab, Н. С. Куликовab, А. М. Кадыковa, М. А. Фадеевa, А. В. Иконниковc, А. С. Казаковc, М. С. Жолудевa, В. Я. Алешкинab, В. В. Уточкинab, Н. Н. Михайловde, С. А. Дворецкийd, С. В. Морозовab, В. И. Гавриленкоab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
e Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (254 kB) Список цитирования (7) Английская версия
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46580.02
Аннотация: В квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe, получено стимулированное излучение в диапазоне длин волн 20.3–17.4 мкм на межзонных переходах при $T$ = 8–50 K. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон длин волн 25–60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантовых каскадных лазеров. Показано, что максимальная температура, до которой возможно получение стимулированного излучения, определяется положением “боковых” максимумов на дисперсионных зависимостях в первой валентной подзоне квантовой ямы, и обсуждаются способы подавления безызлучательной рекомбинации в структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60172
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-0201
МК-4399.2018.2
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 16-32-60172). Характеризация структур по измерениям спектров фотолюминесценции и расчеты зонного спектра структур проведены в рамках выполнения государственного задания ИФМ РАН, тема 0035-2014-0201, и при поддержке Министерства образования и науки (МК-4399.2018.2).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Английская версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1375–1379
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110234
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267; Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RumKulKad18}
\by В.~В.~Румянцев, Н.~С.~Куликов, А.~М.~Кадыков, М.~А.~Фадеев, А.~В.~Иконников, А.~С.~Казаков, М.~С.~Жолудев, В.~Я.~Алешкин, В.~В.~Уточкин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, С.~В.~Морозов, В.~И.~Гавриленко
\paper Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1263--1267
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5677}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46580.02}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903595}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1375--1379
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110234}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5677
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1263
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:318
    PDF полного текста:125
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026