Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 510 (Mi phts5836)  
XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Characterization

The features of GaAs nanowire SEM images

I. P. Soshnikovabc, K. P. Kotlyarad, N. A. Bertb, D. A. Kirilenkobe, A. D. Bouravlevabc, G. E. Cirlinabcd

a St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
b Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
c Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia
d St. Petersburg State University, 199034 St. Petersburg, Russia
e ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (27 kB)
Аннотация: The detailed study of GaAs nanowires synthesized by molecular beam epitaxy performed by scanning electron microscopy allowed to reveal the presence of specific contrast in the images obtained. To understand the causes of the phenomenon the transmission electron microscopy of nanowire crystal structure was carried out. The results showed that it could be caused by the segments having polytypic crystal phase. It was also confirmed by the modelling of the electron beam scattering on such nanowire arrays.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-07-06964
13-02-12031 офи-м
Российский научный фонд 14-12-00393
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
The work is supported Russian foundation for Basic Research (15-07-06964, 13-02-12031 ofi-m) and Russian Science Foundation (14-12-00393) and Program of Russian Academy of Science “Nanostructures”.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 605–608
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050317
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 510; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SosKotBer18}
\by I.~P.~Soshnikov, K.~P.~Kotlyar, N.~A.~Bert, D.~A.~Kirilenko, A.~D.~Bouravlev, G.~E.~Cirlin
\paper The features of GaAs nanowire SEM images
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 510
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5836}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740374 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 605--608
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050317}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5836
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p510
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025