|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
А. В. Иконниковab , Л. С. Бовкунac, В. В. Румянцевab, С. С. Криштопенкоad, В. Я. Алешкинab , А. М. Кадыковad, M. Orlitac, M. Potemskic, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовba, С. А. Дворецкийe , Н. Н. Михайловfe a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France
d Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221, Montpellier, France
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
f Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Выполнены исследования спектров магнитопоглощения и спектров межзонной фотопроводимости при различных температурах в квантовых ямах HgTe/CdHgTe с дырочным типом проводимости. Показано, что в образце с нормальной зонной структурой наблюдается сдвиг положения красной границы в сторону больших энергий с ростом температуры, что указывает на увеличение ширины запрещенной зоны в квантовой яме. В образце с инвертированной структурой впервые наблюдалось смещение красной границы в сторону меньших энергий, связанное с топологическим фазовым переходом от инвертированной зонной структуры к прямой с увеличением температуры. Результаты экспериментальных исследований находятся в согласии с теоретическими расчетами зонной структуры, выполненными на основе модели Кейна.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593; Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5957 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1588
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 259 | | PDF полного текста: | 145 |
|