Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страницы 1594–1598
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45169.31 (Mi phts5958) 		 
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

П. А. Бушуйкинa, А. В. Новиковab, Б. А. Андреевab, Д. Н. Лобановab, П. А. Юнинa, Е. В. Скороходовa, Л. В. Красильниковаba, Е. В. Демидовa, Г. М. Савченкоc, В. Ю. Давыдовc

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1059 kB) Английская версия
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45169.31
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/12/page-1594.html.ru
Аннотация: Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концентрацией свободных носителей 10$^{18}$–10$^{19}$ см$^{-3}$, сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстрируют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна–Мосса для $n$-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии.
Поступила в редакцию: 23.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Английская версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 12, Pages 1537–1541
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617120041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов, “Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1594–1598; Semiconductors, 51:12 (2017), 1537–1541
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BusNovAnd17}
\by П.~А.~Бушуйкин, А.~В.~Новиков, Б.~А.~Андреев, Д.~Н.~Лобанов, П.~А.~Юнин, Е.~В.~Скороходов, Л.~В.~Красильникова, Е.~В.~Демидов, Г.~М.~Савченко, В.~Ю.~Давыдов
\paper Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1594--1598
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5958}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45169.31}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30729650}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1537--1541
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617120041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5958
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1594
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:106
    PDF полного текста:54
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026