Прыжковая проводимость аморфных пленок Ge$_{1-x}$Cu$_{x}$ в промежуточных и сильных электрических полях

Исследовано влияние электрических нолей на прыжковую проводимость аморфных пленок Ge$_{1-x}$Cu$_{x}$ в области действия закона ${\sigma(T)=\sigma(0)\exp[-(T_{0}/T)^{n}]}$, где ${n=1/2}$. Показано, что ВАХ в области промежуточных полей могут быть объяснены в рамках модели прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка. В области сильных полей наблюдалась безактивационная прыжковая проводимость, изменяющаяся по закону ${j(E)\sim\exp[-(E_{0}/E)^{m}]}$, где ${m\cong1/4}$. Обсуждается механизм полевой зависимости проводимости.