Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 637–646
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44421.8435
(Mi phts6159)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Характеристики барьеров Шоттки тонкопленочных, двухконтактных структур Al/пленка из наночастиц Si/ITO

Н. Н. Кононовa, С. Г. Дорофеевb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
Аннотация: Температурная зависимость высот барьеров Шоттки и последовательного сопротивления тонкопленочных структур Al/пленка из наночастиц Si/ITO (Al/$nc$-Si film/ITO) определены из анализа вольт-амперных характеристик в диапазоне температур 20–150$^\circ$C. Обнаружено, что вид вольт-амперной характеристики при всех исследованных температурах может быть описан моделью двух диодов Шоттки, включенных навстречу друг другу. Для двух диодов Шоттки, включенных навстречу друг другу, получена общая формула, позволяющая конструировать функции, аппроксимирующие экспериментальные кривые с высокой точностью. На основе этой формулы построена вычислительная модель, обобщающая теоретические результаты работы С.К. Ланга и Н.В. Чанга (S.K. Cheung and N.W. Cheung), широко применяемые для анализа вольт-амперных характеристик одиночных диодов Шоттки. В результате нами разработана методика, позволяющая вычислять высоты барьеров Шоттки в системе двух диодов, включенных навстречу друг другу, коэффициенты их неидеальности и последовательное сопротивление системы. Обнаружено, что в исследованном температурном интервале величины высот барьеров находятся вблизи значений $\sim$1 эВ. Из анализа температурной зависимости высот барьеров установлено, что столь большие величины связаны с наличием на границах наночастиц кремния окисного слоя SiO$_{x}$ (0 $\le x\le$ 2), преодолевать который носители заряда могут как в результате теплового возбуждения, так и в результате туннелирования. Установлено, что собственные высоты барьеров Шоттки переходов Al/$nc$-Si film и $nc$-Si film/ITO составляют $\sim$0.1 эВ. Из анализа активационных зависимостей для последовательного сопротивления структур Al/$nc$-Si film/ITO и из импеданс-спектров выяснено, что в структурах реализуется комбинированный механизм транспорта электрических зарядов, связанный с ионной и электронной проводимостью. Установлено, что с ростом температуры образца вклад электронной проводимости в суммарный процесс транспортировки зарядов увеличивается.
Поступила в редакцию: 18.10.2016
Принята в печать: 24.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 608–616
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261705013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Кононов, С. Г. Дорофеев, “Характеристики барьеров Шоттки тонкопленочных, двухконтактных структур Al/пленка из наночастиц Si/ITO”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 637–646; Semiconductors, 51:5 (2017), 608–616
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonDor17}
\by Н.~Н.~Кононов, С.~Г.~Дорофеев
\paper Характеристики барьеров Шоттки тонкопленочных, двухконтактных структур Al/пленка из наночастиц Si/ITO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 637--646
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6159}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44421.8435}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404916}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 608--616
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261705013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6159
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p637
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:52
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025