Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1685–1689 (Mi phts6294)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния

Н. А. Байдаковаa, А. В. Новиковab, М. В. Шалеевa, Д. В. Юрасовa, Е. Е. Морозоваa, Д. В. Шенгуровa, З. Ф. Красильникba

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (269 kB) Список цитирования (1) Английская версия
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2016/12/page-1685.html.ru
Аннотация: Впервые исследована электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферах SiGe/Si(001) и заключенными между слоями напряженного кремния. Сигнал электролюминесценции от исследованных структур наблюдается в области длин волн 1.6–2.0 мкм, более длинноволновой области спектра по сравнению со структурами с островками Ge(Si), сформированными на подложках Si(001). Это позволяет рассматривать структуры с островками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями Si, в качестве кандидатов для создания на кремнии источников излучения на диапазон длин волн $>$ 1.55 мкм.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Английская версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1657–1661
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120046
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1685–1689; Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiNovSha16}
\by Н.~А.~Байдакова, А.~В.~Новиков, М.~В.~Шалеев, Д.~В.~Юрасов, Е.~Е.~Морозова, Д.~В.~Шенгуров, З.~Ф.~Красильник
\paper Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1685--1689
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6294}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369074}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1657--1661
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120046}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6294
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1685
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:138
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026