Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1276–1282 (Mi phts6375)  
Эта публикация цитируется в 31 научных статьях (всего в 31 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов

Н. А. Лашковаa, А. И. Максимовa, А. А. Рябкоa, А. А. Бобковa, В. А. Мошниковabc, Е. И. Теруковad

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (2177 kB) Список цитирования (31) Английская версия
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2016/09/page-1276.html.ru
Аннотация: Разработана модель гетероструктурного фотовольтаического элемента на основе оксидов цинка и меди. Зародышевые слои оксида цинка и оксида меди синтезированы методом спрей-пиролиза. Для формирования объемного гетероперехода выращены наностержни оксида цинка с помощью гидротермального синтеза. Изучены морфологические, электрофизические и оптические свойства полученных структур.
Поступила в редакцию: 03.03.2016
Принята в печать: 10.03.2016
Английская версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1254–1260
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261609013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, А. А. Рябко, А. А. Бобков, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1276–1282; Semiconductors, 50:9 (2016), 1254–1260
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LasMaxRya16}
\by Н.~А.~Лашкова, А.~И.~Максимов, А.~А.~Рябко, А.~А.~Бобков, В.~А.~Мошников, Е.~И.~Теруков
\paper Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1276--1282
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6375}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369001}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1254--1260
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261609013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6375
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1276
    • Эта публикация цитируется в следующих 31 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:203
    PDF полного текста:114
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026