Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 997–1000 (Mi phts6427)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации

В. И. Николаевabc, А. И. Печниковab, С. И. Степановbd, Ш. Ш. Шарофидиновbc, А. А. Головатенкоabc, И. П. Никитинаc, А. Н. Смирновc, В. Е. Бугровb, А. Е. Романовbc, П. Н. Брунковbc, Д. А. Кириленкоbc

a ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет
PDF полного текста (533 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Методом хлоридной эпитаксии получены эпитаксиальные слои $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфире с использованием в качестве источника кислорода воздуха. Слои были исследованы с помощью методов рентгеновской дифракции, оптической, растровой электронной и просвечивающей электронной микроскопии, микрорамановской спектроскопии. Установлено, что слои ориентированы плоскостью ($\bar2$ 01) параллельно поверхности подложки и в них имеются отдельные крупные кристаллические зерна трех ориентаций, отличающихся друг от друга поворотом на 60$^\circ$ в данной плоскости, что, вероятно, обусловлено различием в симметрии слоев и подложки.
Поступила в редакцию: 16.12.2015
Принята в печать: 23.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 980–983
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070186
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000; Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikPecSte16}
\by В.~И.~Николаев, А.~И.~Печников, С.~И.~Степанов, Ш.~Ш.~Шарофидинов, А.~А.~Головатенко, И.~П.~Никитина, А.~Н.~Смирнов, В.~Е.~Бугров, А.~Е.~Романов, П.~Н.~Брунков, Д.~А.~Кириленко
\paper Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 997--1000
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6427}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368950}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 980--983
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6427
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p997
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025