Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 2, страницы 96–105
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.02.57876.5843 (Mi phts6724) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

П. С. Гавринаa, А. А. Подоскинa, И. В. Шушкановa, И. С. Шашкинa, В. А. Крючковa, С. О. Слипченкоa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевa, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия
PDF полного текста (263 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.02.57876.5843
Аннотация: Исследовалось влияние длины резонатора лазера-тиристора на характеристики генерируемых лазерных импульсов. Установлено, что для длительностей импульса $\sim$20–30 нс, обеспечиваемых номиналом разрядного конденсатора 22 нФ, увеличение длины резонатора с 480 до 980 мкм позволяет поднять максимальную пиковую мощность с 16.6 до 25.4 Вт. Дальнейшее увеличение длины резонатора до 1950 мкм приводит к несущественному падению максимальной пиковой мощности до 23.7 Вт из-за более низкой внешней дифференциальной эффективности образцов на начальном участке ватт-амперной характеристики, однако обеспечивает снижение длительности оптического импульса по сравнению с образцами других длин во всем диапазоне напряжений питания.
Ключевые слова: лазеры-тиристоры, полупроводниковые лазеры, токовые ключи, импульсные лазеры.
Поступила в редакцию: 12.12.2023
Исправленный вариант: 19.03.2024
Принята в печать: 19.03.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, И. С. Шашкин, В. А. Крючков, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024), 96–105
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GavPodShu24}
\by П.~С.~Гаврина, А.~А.~Подоскин, И.~В.~Шушканов, И.~С.~Шашкин, В.~А.~Крючков, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, Т.~А.~Багаев, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, В.~А.~Симаков
\paper Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 2
\pages 96--105
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6724}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2024.02.57876.5843}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=75082236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6724
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i2/p96
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025