Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 3, страницы 161–164
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.03.58408.6404 (Mi phts6734) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

А. А. Подоскинa, И. В. Шушкановa, С. О. Слипченкоa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевab, В. Н. Светогоровc, И. В. Яроцкаяc, М. А. Ладугинc, А. А. Мармалюкc, В. А. Симаковc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Российский университет дружбы народов, 117198 Москва, Россия
c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия
PDF полного текста (205 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.03.58408.6404
Аннотация: Рассмотрены токовые ключи на основе InP/AlInGaAs/InGaAsP-гетероструктур тиристорного типа, предназначенные для создания импульсных лазерных излучателей наносекундных длительностей на длину волны 1400–1600 нм. Для образцов токовых ключей с размером анодного контакта 200 $\times$ 250 мкм и двумя управляющими контактами 200 $\times$ 250 мкм продемонстрированы возможности получения токовых импульсов длительностью 3–5 нс и амплитудой до 6–8 А при напряжении питания 16 В. Частота повторения импульсов достигала 100 кГц.
Ключевые слова: тиристор, токовый ключ, гетероструктура, лазерный излучатель.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-79-10159
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Разработка, изготовление и исследования экспериментальных образцов выполнены в рамках проекта Российского научного фонда № 22-79-10159. Разработка постростовых операций выполнена в рамках государственного задания ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Поступила в редакцию: 25.04.2024
Исправленный вариант: 03.05.2024
Принята в печать: 06.05.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, В. Н. Светогоров, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности”, Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024), 161–164
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodShuSli24}
\by А.~А.~Подоскин, И.~В.~Шушканов, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, Т.~А.~Багаев, В.~Н.~Светогоров, И.~В.~Яроцкая, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, В.~А.~Симаков
\paper Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al--In--Ga--As--P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 3
\pages 161--164
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6734}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2024.03.58408.6404}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=75082246}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6734
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i3/p161
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025