Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)

Разработаны и исследованы конструкции гибридных источников лазерного излучения на основе тиристорных токовых ключей и лазерных диодов. Гетероструктуры тиристорных токовых ключей и лазерных диодов были созданы с использованием технологии осаждения металлорганических соединений из газовой фазы в системах твердых растворов Al–In–Ga–As–P/InP. Для разработанных источников была продемонстрирована пиковая мощность 20 Вт при длительности импульса 65 нс и рабочем напряжении 15 В. Минимальное время задержки включения лазерной генерации относительно начала импульса тока управления составило 10 нс при амплитуде импульса тока 280 мА.