Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

Проведена отработка режимов формирования квантовых точек In$_x$Ga$_{1-x}$As методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ $\sim$57 мэВ, при этом в данном массиве квантовых точек эффекта бимодальности не обнаружено. Полученные структуры с In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As-квантовыми точками продемонстрировали высокую пиковою интенсивность фотолюминесценции при температуре 300 K, что позволяет использовать данный тип активных областей для формирования вертикальных микрорезонаторов для последующей реализации схемы резервуарных вычислений.