Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 552–555
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.10.59379.6609A (Mi phts6800) 		 
Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As

Г. В. Вознюкa, И. Н. Григоренкоa, А. С. Лилаab, М. И. Митрофановa, А. В. Бабичевb, А. Н. Смирновa, Д. Н. Николаевa, С. О. Слипченкоa, В. Ю. Давыдовa, А. Ф. Цацульниковc, В. П. Евтихиевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (158 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.10.59379.6609A
Аннотация: Методом рамановской спектроскопии исследованы литографические рисунки, сформированные сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в гетероструктуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As. Было обнаружено, что в ходе травления происходит накопление радиационных дефектов, концентрация которых зависит от энергии ионов и ионной дозы. Показано, что выбор режимов травления и отжига позволяют восстанавливать кристаллическое совершенство гетероструктуры.
Ключевые слова: микро-рамановская спектроскопия, сфокусированный ионный пучок, радиационные дефекты, гетероструктура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-79-10285
А.В. Бабичев благодарит за финансовую поддержку грант Российского научного фонда № 20-79-10285П,https://rscf.ru/en/project/20-79-10285/ в части разработки конструкции гетероструктуры.
Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 31.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. В. Вознюк, И. Н. Григоренко, А. С. Лила, М. И. Митрофанов, А. В. Бабичев, А. Н. Смирнов, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, В. Ю. Давыдов, А. Ф. Цацульников, В. П. Евтихиев, “Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 552–555
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VozGriLil24}
\by Г.~В.~Вознюк, И.~Н.~Григоренко, А.~С.~Лила, М.~И.~Митрофанов, А.~В.~Бабичев, А.~Н.~Смирнов, Д.~Н.~Николаев, С.~О.~Слипченко, В.~Ю.~Давыдов, А.~Ф.~Цацульников, В.~П.~Евтихиев
\paper Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 10
\pages 552--555
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6800}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2024.10.59379.6609A}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=79492292}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6800
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i10/p552
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025