Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 11, страницы 591–593
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.11.59480.6580A (Mi phts6809) 		 
Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Получение и свойства наноразмерной пленки диоксида титана для транспортного слоя $n$-типа фотовольтаической ячейки

А. Ю. Гагаринаa, В. П. Безверхнийa, Е. Н. Муратоваa, В. А. Мошниковa, И. А. Врублевскийb, А. К. Тучковскийb, Н. В. Лушпаb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
b Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Республика Беларусь
PDF полного текста (201 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.11.59480.6580A
Аннотация: Исследовано влияние напряжения анодирования на толщину анодных пленок TiO$_2$, формируемых методом электрохимического окисления титана. По температурной зависимости проводимости определены энергии активации. Показана возможность получения анодных пленок TiO$_2$ с удельным сопротивлением от 3.0 до 5.0 мкОм $\cdot$ м и электронным типом проводимости.
Ключевые слова: солнечная энергетика, оксид титана, фотовольтаические ячейки, транспортные слои, электронная проводимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-42-10029
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф23РНФ-160
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда № 23-42-10029 от 20.12.2022, https://rscf.ru/en/project/23-42-10029/ и гранта Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований № Ф23РНФ-160.
Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 06.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Гагарина, В. П. Безверхний, Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, И. А. Врублевский, А. К. Тучковский, Н. В. Лушпа, “Получение и свойства наноразмерной пленки диоксида титана для транспортного слоя $n$-типа фотовольтаической ячейки”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 591–593
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GagBezMur24}
\by А.~Ю.~Гагарина, В.~П.~Безверхний, Е.~Н.~Муратова, В.~А.~Мошников, И.~А.~Врублевский, А.~К.~Тучковский, Н.~В.~Лушпа
\paper Получение и свойства наноразмерной пленки диоксида титана для транспортного слоя $n$-типа фотовольтаической ячейки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 11
\pages 591--593
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6809}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=80067515}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6809
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i11/p591
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026