Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au

Представлены результаты исследования пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au субмикронной толщины от 40 до 800 нм. Измерены вольт-амперные характеристики структур TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au и проведено их сравнение. Установлено, что сопротивление электродов и приконтактная область пространственного заряда оказывают значительное влияние на вольт-амперную характеристику. Показано, что область пространственного заряда, расположенная главным образом в пленке Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au, является той областью, где развивается процесс переключения. Дана оценка критической напряженности поля, при достижении которой в области пространственного заряда начинается процесс переключения. Предложен метод определения напряженности поля в массиве аморфной части пленки до переключения.